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      青海黃河公司太陽能電池及組件研發實驗室鈣鈦礦/晶硅疊層電池技術升級改造項目ALD設備采購招標公告

         日期:2026-05-14     瀏覽:0    
      核心提示:黃河上游水電開發有限責任公司太陽能電池及組件研發實驗室鈣鈦礦/晶硅疊層電池技術升級改造項目AL
         黃河上游水電開發有限責任公司太陽能電池及組件研發實驗室鈣鈦礦/晶硅疊層電池技術升級改造項目ALD設備采購項目現進行公開招標。

      2.項目概況與招標范圍

      2.1項目概況

      青海黃河公司太陽能電池及組件研發實驗室主要進行高效太陽能晶硅電池制備技術開發以及高效率硅基鈣鈦礦疊層電池片技術開發和樣品制備。目前實驗室聚焦于產業化大面積鈣鈦礦/晶硅疊層電池技術研究和結構設計、器件制備,其中鈣鈦礦電池阻擋層主要采用熱原子沉積的方式完成制備,因此本次需采購熱原子沉積ALD系統設備,完成功能層的制備。本項目主要工作范圍是采購1臺ALD設備,實現納米薄膜功能層的制備。

      項目地點:項目位于陜西省西安市國家民用航天產業基地東長安街589號,項目現場距離高速公路3km,現場道路寬闊,交通便利。

      2.2招標范圍

      (1)采購1臺ALD設備,包含隨機文件、技術資料(包括操作手冊、使用指南、維修指南或服務手冊),負責設計、制造、試驗(包括工廠試驗、出廠試驗、交接試驗)、供貨、包裝、運輸、現場卸貨安裝、調試及試運行,并提供相應的技術服務與質量保證、售后服務、技術培訓等。

      (2)構成設備的任何部件、組件和裝置如果在本供貨范圍及工作內容中沒有提到,但對該設備的安全可靠運行是必需的,也應包括在供貨范圍及工作內容之內。

      2.3主要配置及技術參數:

      序號

      項目

      技術要求

      備注

      1

      設備功能、樣品尺寸及夾具要求

      主要用于鈣鈦礦太陽電池中納米及致密金屬氧化物薄膜層(SnO2/Al2O3等)的精細制備;可支持沉積樣品邊長400mm*40mm或優于,同時尺寸可向下兼容;配備一套適用硅片的夾具(可放置4片166mm*166mmm硅片/合同簽訂時商定尺寸),用于疊層電池制備中晶硅基底放置。

       

      2

      鍍膜繞鍍范圍

      邊緣繞鍍尺寸控制在5mm以內

       

      3

      樣品臺加熱溫度范圍及材質

      樣品臺加熱溫度區間為20℃至不低于200℃,溫度可調,溫度控制精度±1℃,溫度均勻性控制在±3%以內;室溫升溫至100℃以下15分鐘以內可以保持溫度穩定;室溫升溫至100℃以上20分鐘以內可以保持溫度穩定,加熱臺材質為不銹鋼。

       

      4

      前驅體源數量及配置

      3路金屬前驅體源(氧化錫、氧化鋁及1路備用熱金屬源系統)、1路常溫水源,源及源瓶配置齊全(要求隨機攜帶設備調試驗收期間所需的金屬源及源瓶,備用的1路熱金屬源要求配齊管路及源瓶,類型和規格與氧化錫的源瓶和管路保持一致),同時額外配置留有管路升級空間,管路加熱控溫精度為±1℃。

       

      5

      源載氣管路

      含3路載氣系統,流量計控制,控制精度為±1%以內;所有前驅體源管路采用EP及316L不銹鋼管路+VCR密封,并具有在線清洗功能。

       

      6

      飽和脈沖時間

      要求前驅體源的飽和脈沖時間控制在50ms-2s

       

      7

      真空系統

      整機極限真空<1Pa,真空漏率<5E-6Pa•L/S,配置為干泵,額定抽速≥80m³/h(滿足或者優于以上要求)。

       

      8

      真空測量

      精度±0.5%,響應時間<20ms

       

      9

      薄膜均勻性

      薄膜均勻性:在400mm×400mm尺寸的方形樣品臺表面內平均放置9片晶圓,沉積50nm氧化錫,薄膜的片內不均勻度≤3%(以上、下、左、右、中心9點為測量基準,進行膜厚測試),計算方式為:Ui=(Umax-Umin)/(Umax+Umin),單點膜厚最大值、最小值分別記為Umax、Umin;片間薄膜不均勻度≤3%,計算方式為:Ui=(Uavgmax-Uavgmin)/(Uavgmax+Uavgmin),單片膜厚平均值中的最大值和最小值分別記為Uavgmax、Uavgmin。

       

      10

      薄膜折射率

      在400mm×400mm范圍的基底(玻璃或者單拋硅片)表面生長50nm薄膜,以橢偏儀測量13點折射率,單片片內折射率平均值記為n,5次n的平均值記為N,SnO2的折射率n≥1.80且N-0.02≤n≤N+0.02為合格。Al2O3的折射率n≥1.58,且N-0.02≤n≤N+0.02為合格。

       

      11

      廢氣排放

      要求尾氣可以直接接入一般熱排,若設備需要配備尾氣處理系統,則需要投標方提供

       

      12

      工藝參數

      沉積20nm氧化錫薄膜,從放片抽真空到取片總時間≤70min

       

      13

      技術服務

      投標人提供SnO2的制備工藝作為鈣鈦礦反式器件的阻擋層,保證招標方在其他薄膜層制備條件不變時采用該工藝制備的SnO2在取代BCP阻擋層后鈣鈦礦器件的性能不降低。

       

      注:其它未列入本表的參數應能滿足設備安全運行性能,并符合行業標配參數及國家標準。

      2.3交貨期/工期

      合同簽訂生效后3個月內整批交貨(包含備件及工具)(詳見第二卷第五章供貨要求)3.投標人資格要求。

      3.1投標人基本資格要求

      (1)投標人具有獨立訂立合同的資格。

      (2)投標人經營狀況良好,具有良好的資信和信用(以“信用中國”(www.creditchina.gov.cn)網站查詢為準,沒有被列入嚴重失信主體名單),沒有處于會導致中標后無法履行合同的被責令停產停業、財產被接管、凍結、破產狀態。

      (3)投標人近36個月內(含,自投標截止日起往前推算)不存在騙取中標、嚴重違約及因自身的責任而使任何合同被解除的情形。

      (4)單位負責人為同一人或者存在控股、管理關系的不同單位不得在同一標段投標。

      (5)投標人沒有處于相關文件確認的禁止投標的范圍和處罰期內;未被列入供應商涉案“黑名單”。

      3.2專用資格條件

      (1)投標人必須是在中華人民共和國市場監管部門注冊的,具有獨立法人的光伏設備制造企業或相關設備代理企業。

      (2)投標人應具有近5年(自投標截止日起往前推算,以竣工驗收時間為準)完成至少2臺及以上ALD設備供貨合同業績。其中至少有1臺(該設備為與Inforlink數據庫2023或2024年晶硅電池和組件出貨量供貨排名前十的晶硅企業的供貨業績)與投標設備為同一類型;且至少有1臺設備的有效加工幅面不小于0.72平方米?!拘杼峁┖贤瑥陀〖òê贤醉?、供貨范圍、簽字頁)、竣工證明(竣工驗收證明或業主出具的證明文件或其他有效證明資料)、發票復印件】。

      (3)代理企業須提供所代理設備制造企業出具的有效授權書。同一貨物/產品(同一品牌、同一型號)只能有一家投標人。如為代理商投標,一個制造商的貨物,僅能委托一個代理商參加投標,否則相關投標均做無效處理。

      (4)本項目授權委托代理人須為投標方在冊人員并提供近三個月國家社保機構出具的社保繳費證明。

      (5)不接受聯合體投標。

      4.招標文件的獲取

      4.1招標文件發售方式

      本項目實行在線售賣招標文件。

      4.2招標文件發售時間

      2026年5月13日至2026年5月20日。

      凡有意參加投標者,請于購買招標文件時間內報名參與購買招標文件,為保證您能夠順利投標,具體要求

      及購買標書流程請聯系 010-68818478

      詳情請咨詢

      聯系人:劉工

      手機:13681557910 (微信同號)

       
       
       
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